记者独家获悉,公司目前订单饱满,产能压力较大,尤其是高端Mos管供不应求,无法满足大客户需求。公司相关负责人表示,SiC功率器件的中试线已在2021年二季度实现通线,此外在加码化合物半导体领域,计划逐步实现控股相关平台公司。
财联社(杭州,记者 汪斌)讯,产品优化产线满产、产品综合毛利率显著改善,令士兰微(600460.SH)2021年净利有望创历史新高,其业绩增幅也位列目前A股半导体公司榜首。而公司持有的其他非流动金融资产增值也成为另一关注点。1月21日晚间,财联社记者从士兰微获悉,公司目前订单饱满,产能压力较大,尤其是高端Mos管供不应求,无法满足大客户需求。
1月21日下午,士兰微披露2021年年度业绩预增公告,预计净利比上年增加14.5亿元-14.64亿元,同比增长2145%-2165%。财联社记者关注到,2021年士兰微筹划了股票期权激励计划,业绩目标为2021-2024四年的累积营收相比2020年将增长767%。
值得一提的是,2021年士兰微净利大增原因之一,是其持有的其他非流动金融资产增值较多。具体为:安路科技于2021年11月在科创板上市,公司享有的净资产份额按期末公允价值调整,导致净利增加5.34亿元;视芯科技2021年引入外部投资者,公司享有的净资产份额按期末公允价值调整,导致净利增加5229万元。
对于业绩预增原因,士兰微表示,2021年公司基本完成了年初制定的产能建设目标,公司产品持续在白电、通讯、工业、光伏、新能源汽车等高门槛市场取得突破;电源管理芯片、MEMS传感器、IPM(智能功率模块)、MOSFET、IGBT、SBD、TVS、FRD、LED等产品营业利润大幅度增加。需要指出的是,在备受关注的晶圆制造环节方面,2021年士兰微控股子公司士兰集昕8吋线基本保持满产,实现全年盈利;另一控股子公司士兰明芯LED芯片生产线也实现全年盈利。
财联社记者关注到,近期有业内人士指出,市场对士兰微未来业绩的担忧主要集中在:Mos降价和IGBT被碳化硅替代。对此,士兰微相关负责人对财联社记者表示,碳化硅在汽车应用上有一定的优势,但目前成本非常高,短期内实现产业化困难较大,量方面满足不了汽车的增长需求,所以IGBT是未来是主流,“如今IGBT性价比很高,且技术还在不断提升,国际大厂包括英飞凌在内,都认为IGBT和碳化硅未来是一个组合。”
产品矩阵丰富是士兰微的主要优势之一。前述公司相关负责人进一步表示,公司SiC功率器件的中试线已在2021年二季度实现通线,但相关技术的发展和成熟需要时间。此外,士兰微也在加码化合物半导体领域,计划逐步实现控股相关平台公司。
至于Mos降价,目前市场上主要集中在平面Mos和低压Mos,超结Mos价格依旧坚挺。据了解,目前士兰微Mos中超结Mos占比已经超过50%,因此平面Mos和低压Mos降价其影响会逐渐变小。
目前,多家半导体板块企业已披露业绩预告。观察来看,半导体行业整体维持业绩高增速,且上游设计和晶圆制造的增速要高于封测:
晶圆制造和设计企业中,华润微(688396.SH)预计去年净利约22.09亿元-22.33亿元,增幅为1.29倍-1.32倍;力芯微(688601.SH)预估去年净利1.6亿元左右,增幅为1.39倍左右;新洁能(605111.SH)预计去年净利润同比增长加192.78%-196.37%;主营芯片封测的晶方科技(603005.SH)预计,2021年净利为5.5亿元-5.75亿元,同比增长44.65%-50.67%;半导体设备环节的北方华创(002371.SZ)预计,去年净利润9.40亿元-12.08亿元,同比增长75%-125%。