2024年12月31日 05:32:44上海：启动“上海市宽禁带与超宽禁带半导体材料重点实验室”等11家重点实验室筹建立项
财联社12月31日电，上海市科学技术委员会发布通知，根据《上海市2024年度“科技创新行动计划”重点实验室（第一批）申报指南》与《上海市重点实验室建设与运行管理办法》（沪科规〔2022〕6号）有关规定，协同各推荐部门评审论证，现启动“上海市宽禁带与超宽禁带半导体材料重点实验室”等11家重点实验室筹建立项。
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红糖糍粑3个月前 · 上海
禁带宽度是衡量集成电路上的半导体器件的重要指标。禁带越宽，器件的击穿电压就越高，这样的半导体器件能够获得更大的输出功率。
由这些材料制成的宽禁带或超宽禁带半导体，其关态特性接近于绝缘材料，在高温、高压、高频、大电流等极端工作条件下优势明显，并且损耗小。
常见的宽禁带材料包括氮化镓、碳化硅等，禁带宽度超过4个电子伏特的材料被称为超宽禁带半导体材料，包括金刚石、氧化镓、氮化铝等。
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cls-w5dgyl3个月前 · IP未知
利好铜链接，抄底
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cls-nnucd63个月前 · 广东
半导体继续跌
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