财联社7月16日电，中信证券研报指出，以碳化硅为代表的第三代半导体具有禁带宽度大、饱和电子漂移速率高、击穿电场高、热导率高等特点，是半导体产业未来发展的重要方向。碳化硅衬底位于碳化硅产业链的核心上游，采用碳化硅功率器件的高压快充新能源汽车更能适应其增加续航里程、缩短充电时间和提升电池容量等需求，预计将成为未来的主流选择，驱动碳化硅衬底需求进一步增长。