《科创板日报》19日讯，WikiChip发布的一份报告提到，台积电在SRAM方面的微缩速度已大大放缓。其中，台积电采用N3和N5制程的SRAM大小为0.0199μm²和0.021μm²，仅缩小了约5%。而N3E制程基本维持在0.021μm²，相较N5制程几乎没有微缩表现。据悉，SRAM在芯片当中可以充当高速缓存存储器，SRAM微缩越好，在不影响性能和功率的同时就可以为其他单位芯片提供更大的面积，并借此提升芯片的整体性能。