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HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片,由多层dram堆叠
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2025-06-03 06:09
【机构:2025年第一季度DRAM产业营收为270.1亿美元 预计二季度各主要应用合约价将止跌回升】
财联社6月3日电,根据TrendForce集邦咨询最新调查,2025年第一季由于一般型DRAM(Conventional DRAM)合约价下跌,加上HBM出货规模收敛,DRAM产业营收为270.1亿美元,季减5.5%。在平均销售单价方面,由于Samsung(三星)更改HBM3e产品设计,HBM产能排挤效应减弱,促使下游业者去化库存,导致多数产品合约价延续2024年第四季以来的跌势。展望2025年第二季,随着PC OEM和智能手机业者陆续完成库存去化,并积极生产整机,将带动位元采购动能升温,原厂出货位元显著季增。价格方面,预期各主要应用的合约价皆将止跌回升,预估一般型DRAM合约价,以及一般型DRAM和HBM合并的整体合约价均将上涨。
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2025-05-28 02:19 来自 Hankooki
【三星目标今年7~8月通过英伟达HBM3E验证】
《科创板日报》28日讯,三星目标在2025年7~8月通过英伟达的12层HBM3E品质验证测试。此前,三星传针对HBM3E使用的第四代10纳米级(1a)DRAM进行结构重整,不过英伟达以速度未达标准为由,未给予供货批准。韩国业界人士指出,若三星2025年无法供应12层HBM3E给英伟达,其2026年的HBM策略将势必要大幅修正,甚至可能放弃该HBM3E产品,转而专注第六代HBM(HBM4)。 (Hankooki)
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2025-05-27 01:54 来自 韩国Financial News
【三星调整HBM团队组织架构 押宝定制化HBM】
《科创板日报》27日讯,消息称,三星电子DS(设备解决方案)部门负责人全永铉正在进行内部组织大幅调整。他将三星HBM开发团队细分为标准HBM、定制化HBM、HBM产品工程(PE)及HBM封装等团队。相关人士透露,三星内部对“拯救HBM”的需求备感迫切,尤其押宝定制化HBM。 (韩国Financial News)
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2025-05-27 00:36
【盘前题材挖掘】
①中国信通院发布软件开发智能体标准,AI智能体进入爆发前夜。②人工智能对存储芯片提出更高要求,HBM芯片需求强劲增长。③情感陪伴需求巨大,AI陪伴玩具有望率先商业化落地。
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2025-05-26 23:57 来自 财联社
人工智能对存储芯片提出更高要求 HBM芯片需求强劲增长
①据报道,目前三星12层HBM3E产品,基本通过英伟达的DRAM单芯片认证,现阶段正在进行成品认证程序。
②根据TrendForce集邦咨询最新研究,鉴于HBM3e刚推出时的溢价比例约为20%,预计制造难度更高的HBM4溢价幅度将突破30%。
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2025-05-26 02:30 来自 Deal Site
【三星HBM3E基本通过英伟达单芯片认证 成品认证或延迟到下半年完成】
《科创板日报》26日讯,目前三星12层HBM3E产品,基本通过英伟达的DRAM单芯片认证,现阶段正在进行成品认证程序。三星原本预计6~7月完成认证,但因延迟,实际结果或等到2025年下半年出炉。 (Deal Site)
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2025-05-22 07:58
【SEMI:2025年Q1全球半导体资本支出增长27%】
《科创板日报》22日讯,根据SEMI最新报告,2025年第一季度全球半导体资本支出环比下降7%,但同比增长27%,这得益于对先进逻辑、高带宽存储器(HBM)和支持AI应用的先进封装技术的持续投资。SEMI 指出,与内存相关的资本支出同比增长57%,而非内存领域的支出同期增长了15%。
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2025-05-22 06:38
【韩国政府向美方提交意见书 呼吁避免征收芯片关税】
财联社5月22日电,据美国《联邦公报》21日消息,韩国政府向美方提交官方意见书指出,从韩国对美出口存储芯片、从美进口逻辑芯片和芯片制造设备来看,两国在芯片产业上保持互补关系。若美国对韩产芯片加征关税,这恐将破坏韩美互补关系,从而拖累美国芯片产业发展。韩国政府强调,韩产高带宽内存(HBM)和高新DRAM芯片在美国扩大人工智能(AI)基础设施建设中不可或缺,并呼吁美国政府从战略角度谨慎对待相关问题。韩国政府认为,考虑到部分韩企正在美国兴建芯片工厂,其在短期内难免进口芯片制造设备和材料,美方关税恐将给韩企对美投资产生负面影响,呼吁给予韩国“特殊照顾”。
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2025-05-22 04:20
【机构:HBM4新规格拉高制造门槛 预期溢价幅度逾30%】
财联社5月22日电,根据TrendForce集邦咨询最新研究,HBM技术发展受AI Server需求带动,三大原厂积极推进HBM4产品进度。由于HBM4的I/O(输入/输出接口)数增加,复杂的芯片设计使得晶圆面积增加,且部分供应商产品改采逻辑芯片架构以提高性能,皆推升了成本。鉴于HBM3e刚推出时的溢价比例约为20%,预计制造难度更高的HBM4溢价幅度将突破30%。
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2025-05-19 06:48
《科创板日报》19日讯,美光预计,12Hi HBM3E良率在第三季度末达到稳定水平,其出货量将最早于8月超过8Hi HBM3E。
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2025-05-13 06:09
【原厂产能转向高端产品 DDR4等利基型产品涨价迅猛】
财联社5月13日电,财联社记者多方了解到,DRAM市场自2025年Q2起持续涨价,有厂商透露部分型号DDR4价格在一个月内涨近50%。多位受访业内人士表示,此轮波动主因系AI驱动HBM及服务器DRAM需求激增,三星、SK海力士等原厂将DDR4产能转向高端产品。分析师指出,下游因长尾需求紧急建库加剧DDR4供应短缺,存储原厂及库存充足模组厂或成赢家。值得关注的是,国际大厂产能战略调整叠加供应链变局,正为国内存储厂商创造结构性市场机遇。(财联社记者 王碧微)
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2025-05-06 08:58
【全球DRAM龙头易主 一季度SK海力士市场份额反超三星】
财联社5月6日电,据市场机构CFM数据统计,在AI服务器需求与PC和移动需求复苏推动下,叠加关税触发的部分补库存需求的共同影响,2025年一季度DRAM整体表现优于预期,全球DRAM市场规模同比增长42.5%至267.29亿美元,环比减少8.5%。期间,SK海力士凭借在HBM领域的绝对优势,终结三星长达四十多年的市场统治地位,以36.7%的市场份额首度登顶全球DRAM市场第一。
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2025-04-30 02:46 来自 TheElec
《科创板日报》30日讯,作为正式供货前的最后阶段,三星的HBM3E将于6月接受英伟达的质量测试。 (TheElec)
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2025-04-25 07:08 来自 台湾电子时报
《科创板日报》25日讯,由于三星HBM3E未能通过英伟达认证,谷歌将美光产品作为替补供应,其于日前已通知三星更换供应商。 (台湾电子时报)
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2025-04-24 09:02 来自 台湾工商时报
《科创板日报》24日讯,三星电子的HBM2E高频宽记忆体已进入最后采购阶段,后续将集中布局HBM3E与HBM4。 (台湾工商时报)
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2025-04-24 08:16
【SK海力士:预期今年HBM需求约为去年的两倍】
《科创板日报》24日讯,SK海力士表示,预期今年HBM的需求约为去年的两倍,并且向12层HBM3E的过渡也进展顺利,因此在第二季度,预计一半以上的HBM3E出货量将按照先前的计划以12层的形式出售。
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2025-04-24 02:26 来自 财联社 刘蕊
AI热潮正盛!SK海力士Q1营利暴增158% 但特朗普关税成隐忧
①SK海力士第一季度营收17.64万亿韩元,同比增长42%,营业利润7.44万亿韩元,同比飙升158%,均超预期;
②尽管业绩强劲,但SK海力士警告称,受特朗普关税政策等宏观经济不确定性因素影响,市场需求波动预计将持续至下半年。
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2025-04-18 02:38
【三星1c DRAM样品生产测试推迟3个月 HBM4量产或同步延后】
《科创板日报》18日讯,韩媒援引三星内部消息人士称,三星原定2025年7月进行1c DRAM样品生产测试,因在重新设计过程中遭遇困难,时间表已推迟至2025年10月。三星基于1c DRAM的HBM4原计划在2025年下半年开始量产,可能也会同步延后。
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2025-04-17 00:53 来自 ChosunBiz
【三星4nm逻辑芯片测试生产良率已达40%以上】
《科创板日报》17日讯,三星4nm逻辑芯片的测试生产良率已超过40%。由于该逻辑芯片是三星12层HBM4的关键组件,良率的提升预计将加速三星HBM4的开发。 (ChosunBiz)
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2025-04-14 01:05 来自 The Elec
【SK海力士今年资本开支上调超30%】
《科创板日报》14日讯,据业内相关人士透露,由于科技巨头对HBM需求大幅增加,SK海力士近日敲定上调今年资本开支计划,从年初定下的22万亿韩元上调至29万亿韩元(约合1480亿元人民币)。SK海力士新DRAM生产基地清州M15厂的设备将于10月到厂,较原计划提前两个月,公司已通知设备供应商相关事宜。据悉,SK海力士预计将从今年开始向博通大规模供应HBM,英伟达也要求其提前交付HBM。 (The Elec)
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