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HBM
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HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠
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2025-06-20 06:01 来自 韩国经济日报
《科创板日报》20日讯，SK海力士首款定制HBM预计将于2026年下半年推出，目前已将英伟达、微软和博通作为其主要客户。 (韩国经济日报)
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2025-06-17 06:38
【SK海力士开始准备为亚马逊提供12层HBM3E】《科创板日报》17日讯，据ZDNet Korea，SK海力士已开始准备为亚马逊提供12层HBM3E。亚马逊计划最早在今年年底或明年发布下一代AI芯片Trainium 3。与上一代相比，计算性能提高了一倍，能效提高了约40%。总内存容量144GB，集成了4个12层HBM3E。
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2025-06-13 04:55
【AMD MI350采用三星电子和美光HBM】《科创板日报》13日讯，AMD表示，Instinct MI350系列采用了三星电子和美光的HBM产品。Instinct MI350系列采用了8个36GB HBM3E内存，具有12Hi堆叠配置和8Gbps性能，内存总容量为288GB，带宽为8TB/s。
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2025-06-12 04:45
【集邦咨询：HBM4将在2026年第二季度量产】财联社6月12日电，在日前集邦咨询主办的“TSS 2025半导体产业高层论坛”上，集邦咨询分析师许家源指出，HBM迭代快速，预计HBM3e将占据2025年出货份额超过90%，2026年HBM4将开始渗透入市场，供货商预计2026年第二季度量产。SK海力士继续位居HBM主力供应商，美光快速追赶；英伟达维持HBM消费市场最大份额，预计HBM供需仍处平衡。另外，HBM占整体内存产能比重持续提升下，排挤效应正重塑内存行业供给格局，预计2025年内存平均售价持续受HBM供需变化所影响。另外，集邦咨询分析师龚瑞骄指出，近年来SiC产业经历了大规模的产能扩张，6英寸SiC晶圆已经供过于求，8英寸转型进程有所减速，以中国车企为代表的全球汽车业者高度重视SiC供应链布局。GaN正处于大规模应用的临界点，由中低功率消费电子逐渐走向高功率应用，汽车、AI数据中心、人形机器人等场景蕴藏巨大潜力。
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2025-06-12 02:27 来自 businesspost
【三星未通过英伟达第3次HBM3E认证 计划9月重新认证】《科创板日报》12日讯，三星电子6月进行的第3次英伟达12层HBM3E产品认证未获通过，下一次认证定于9月进行。而美光已将HBM3E的良率提高到70%以上。 (businesspost)
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2025-06-11 01:25 来自 台湾工商时报
【三星DRAM第17产线正推动制程转换 配合HBM与下一代DRAM量产】《科创板日报》11日讯，三星位于韩国华城的DRAM第17产线（Line 17）正推动制程转换，预计从DDR4转向14/16纳米等先进制程，配合HBM与下一代DRAM量产。三星将以平泽P4厂为主轴，自2025年下半年起进行大规模设备扩充投资，以提升成本竞争力。 (台湾工商时报)
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2025-06-05 00:39
【机构：SK海力士第一季度首次超越三星 成全球最大DRAM生产商】《科创板日报》5日讯，SK海力士今年第一季度在全球DRAM市场的占有率首次超过三星电子。根据市场研究机构Omdia的数据，由于DRAM合同价格下跌和HBM出货量下降，第一季度全球DRAM销售额总计263.3亿美元，环比下降9%。在整体市场下滑的情况下，SK海力士的市占率从去年第四季度的36%上升到今年第一季度的36.9%，超过了三星电子，后者的市占率从38.6%降至34.4%。从销售额来看，SK海力士第一季度的销售额为97.2亿美元，而三星电子销售额为91亿美元。这是自1992年三星电子成为全球最大DRAM生产商以来，SK海力士首次占据首位。
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2025-06-03 06:09
【机构：2025年第一季度DRAM产业营收为270.1亿美元 预计二季度各主要应用合约价将止跌回升】财联社6月3日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第一季由于一般型DRAM（Conventional DRAM）合约价下跌，加上HBM出货规模收敛，DRAM产业营收为270.1亿美元，季减5.5%。在平均销售单价方面，由于Samsung（三星）更改HBM3e产品设计，HBM产能排挤效应减弱，促使下游业者去化库存，导致多数产品合约价延续2024年第四季以来的跌势。展望2025年第二季，随着PC OEM和智能手机业者陆续完成库存去化，并积极生产整机，将带动位元采购动能升温，原厂出货位元显著季增。价格方面，预期各主要应用的合约价皆将止跌回升，预估一般型DRAM合约价，以及一般型DRAM和HBM合并的整体合约价均将上涨。
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2025-05-28 02:19 来自 Hankooki
【三星目标今年7~8月通过英伟达HBM3E验证】《科创板日报》28日讯，三星目标在2025年7~8月通过英伟达的12层HBM3E品质验证测试。此前，三星传针对HBM3E使用的第四代10纳米级（1a）DRAM进行结构重整，不过英伟达以速度未达标准为由，未给予供货批准。韩国业界人士指出，若三星2025年无法供应12层HBM3E给英伟达，其2026年的HBM策略将势必要大幅修正，甚至可能放弃该HBM3E产品，转而专注第六代HBM（HBM4）。 (Hankooki)
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2025-05-27 01:54 来自 韩国Financial News
【三星调整HBM团队组织架构 押宝定制化HBM】《科创板日报》27日讯，消息称，三星电子DS（设备解决方案）部门负责人全永铉正在进行内部组织大幅调整。他将三星HBM开发团队细分为标准HBM、定制化HBM、HBM产品工程（PE）及HBM封装等团队。相关人士透露，三星内部对“拯救HBM”的需求备感迫切，尤其押宝定制化HBM。 (韩国Financial News)
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2025-05-27 00:36
【盘前题材挖掘】①中国信通院发布软件开发智能体标准，AI智能体进入爆发前夜。②人工智能对存储芯片提出更高要求，HBM芯片需求强劲增长。③情感陪伴需求巨大，AI陪伴玩具有望率先商业化落地。
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2025-05-26 23:57 来自 财联社
人工智能对存储芯片提出更高要求 HBM芯片需求强劲增长
①据报道，目前三星12层HBM3E产品，基本通过英伟达的DRAM单芯片认证，现阶段正在进行成品认证程序。
②根据TrendForce集邦咨询最新研究，鉴于HBM3e刚推出时的溢价比例约为20%，预计制造难度更高的HBM4溢价幅度将突破30%。
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2025-05-26 02:30 来自 Deal Site
【三星HBM3E基本通过英伟达单芯片认证 成品认证或延迟到下半年完成】《科创板日报》26日讯，目前三星12层HBM3E产品，基本通过英伟达的DRAM单芯片认证，现阶段正在进行成品认证程序。三星原本预计6~7月完成认证，但因延迟，实际结果或等到2025年下半年出炉。 (Deal Site)
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2025-05-22 07:58
【SEMI：2025年Q1全球半导体资本支出增长27%】《科创板日报》22日讯，根据SEMI最新报告，2025年第一季度全球半导体资本支出环比下降7%，但同比增长27%，这得益于对先进逻辑、高带宽存储器（HBM）和支持AI应用的先进封装技术的持续投资。SEMI指出，与内存相关的资本支出同比增长57%，而非内存领域的支出同期增长了15%。
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2025-05-22 06:38
【韩国政府向美方提交意见书 呼吁避免征收芯片关税】财联社5月22日电，据美国《联邦公报》21日消息，韩国政府向美方提交官方意见书指出，从韩国对美出口存储芯片、从美进口逻辑芯片和芯片制造设备来看，两国在芯片产业上保持互补关系。若美国对韩产芯片加征关税，这恐将破坏韩美互补关系，从而拖累美国芯片产业发展。韩国政府强调，韩产高带宽内存（HBM）和高新DRAM芯片在美国扩大人工智能（AI）基础设施建设中不可或缺，并呼吁美国政府从战略角度谨慎对待相关问题。韩国政府认为，考虑到部分韩企正在美国兴建芯片工厂，其在短期内难免进口芯片制造设备和材料，美方关税恐将给韩企对美投资产生负面影响，呼吁给予韩国“特殊照顾”。
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2025-05-22 04:20
【机构：HBM4新规格拉高制造门槛 预期溢价幅度逾30%】财联社5月22日电，根据TrendForce集邦咨询最新研究，HBM技术发展受AI Server需求带动，三大原厂积极推进HBM4产品进度。由于HBM4的I/O（输入/输出接口）数增加，复杂的芯片设计使得晶圆面积增加，且部分供应商产品改采逻辑芯片架构以提高性能，皆推升了成本。鉴于HBM3e刚推出时的溢价比例约为20%，预计制造难度更高的HBM4溢价幅度将突破30%。
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2025-05-19 06:48
《科创板日报》19日讯，美光预计，12Hi HBM3E良率在第三季度末达到稳定水平，其出货量将最早于8月超过8Hi HBM3E。
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2025-05-13 06:09
【原厂产能转向高端产品 DDR4等利基型产品涨价迅猛】财联社5月13日电，财联社记者多方了解到，DRAM市场自2025年Q2起持续涨价，有厂商透露部分型号DDR4价格在一个月内涨近50%。多位受访业内人士表示，此轮波动主因系AI驱动HBM及服务器DRAM需求激增，三星、SK海力士等原厂将DDR4产能转向高端产品。分析师指出，下游因长尾需求紧急建库加剧DDR4供应短缺，存储原厂及库存充足模组厂或成赢家。值得关注的是，国际大厂产能战略调整叠加供应链变局，正为国内存储厂商创造结构性市场机遇。（财联社记者 王碧微）
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2025-05-06 08:58
【全球DRAM龙头易主 一季度SK海力士市场份额反超三星】财联社5月6日电，据市场机构CFM数据统计，在AI服务器需求与PC和移动需求复苏推动下，叠加关税触发的部分补库存需求的共同影响，2025年一季度DRAM整体表现优于预期，全球DRAM市场规模同比增长42.5%至267.29亿美元，环比减少8.5%。期间，SK海力士凭借在HBM领域的绝对优势，终结三星长达四十多年的市场统治地位，以36.7%的市场份额首度登顶全球DRAM市场第一。
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2025-04-30 02:46 来自 TheElec
《科创板日报》30日讯，作为正式供货前的最后阶段，三星的HBM3E将于6月接受英伟达的质量测试。 (TheElec)
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