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HBM
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HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠
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2025-04-02 00:23 来自 nate
【三星重新设计12层HBM3E 预计5月再次送审】《科创板日报》2日讯，三星电子近日开始重新设计其HBM3E 12层产品，并将于5月再次接受英伟达的质量测试。此前三星电子向英伟达发送了一份HBM3E 12层样品，但在性能方面未达要求。 (nate)
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2025-04-01 06:16 来自 韩联社
【韩国3月半导体出口同比增长11.9%至131亿美元 逼近2022年创下的出口纪录】财联社4月1日电，韩国产业通商资源部1日公布数据，韩国3月出口额582.8亿美元，同比增长3.1%；进口额533亿美元，同比增长2.3%；贸易收支实现49.8亿美元顺差。按品目看，得益于高带宽内存（HBM）和第五代双倍数据速率同步动态随机存取存储器（DDR5）等高附加值产品的需求增加，半导体出口131亿美元，同比增长11.9%，逼近2022年创下的出口纪录（131.2亿美元）。汽车出口为62亿美元，同比增长1.2%，连续两个月回升。船舶出口32亿美元，同比增长51.6%，创自2023年12月（37亿美元）以来近15个月的新高。电脑（12亿美元，33.1%）、无线通信设备（13亿美元，13.8%）、显示器（15亿美元，2.9%）等信息技术主力产品出口均实现增长。按出口目的地看，对华出口额为101亿美元，同比减少4.1%；对美出口额为111亿美元，同比增长2.3%。 (韩联社)
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2025-03-27 08:04
【SK海力士预计今年HBM产品将占总销售额一半以上】财联社3月27日电，SK海力士CEO郭鲁正周四在股东大会上表示，随着多样化的人工智能生态系统的扩大，以及中国DeepSeek等新的生成型人工智能模型带来的额外需求，HBM的需求将持续增长。他预测，与2023年相比，今年HBM市场将增长9倍，企业固态硬盘（eSSD）市场将增长3.5倍。因此，SK海力士预计HBM产品在其存储芯片总销售额中的占比将从2024年的40%上升到2025年的50%以上。
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2025-03-27 03:09
《科创板日报》27日讯，SK海力士表示，2025年HBM产能已售罄，将在上半年与客户完成关于2026年HBM产能的谈判。
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2025-03-25 06:24 来自 台湾电子时报
【美光宣布用于英伟达新品的HBM3E及SOCAMM已量产出货】《科创板日报》25日讯，美光宣布其用于英伟达GB300 Grace Blackwell Ultra的SOCAMM内存模组，以及针对英伟达HGX B300 NVL16及GB300 NVL72平台打造的HBM3E 12H 36GB已量产出货。 (台湾电子时报)
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2025-03-25 06:09
【机构：下游客户库存去化顺利 预计2Q25 DRAM价格跌幅将收敛】《科创板日报》25日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第一季下游品牌厂大都提前出货因应国际形势变化，此举有助供应链中DRAM的库存去化。展望第二季，预估Conventional DRAM（一般型DRAM）价格跌幅将收敛至季减0%至5%，若纳入HBM计算，受惠于HBM3e 12hi逐渐放量，预计均价为季增3%至8%。
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2025-03-21 05:12 来自 Sedaily
【三星8层HBM3E接近进入博通供应链】《科创板日报》21日讯，三星电子近日在博通的8层HBM3E质量测试中表现出色。分析表明，博通理想的HBM3E速度要求正在得到满足，并且已接近进入供应链。 (Sedaily)
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2025-03-20 06:41 来自 TheElec
【博通HBM订单激增 SK海力士加快晶圆厂建设】《科创板日报》20日讯，由于博通HBM订单激增，SK海力士计划比原计划提前两个月在其新M15X工厂引入设备。设备交付原定于12月进行，现已提前至10月。 (TheElec)
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2025-03-19 01:09
【SK海力士首次向客户提供12层HBM4样品 预计下半年量产】财联社3月19日电，韩国半导体供应商SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4，并在全球首次向主要客户提供其样品。SK海力士表示，公司将在下半年完成量产准备。
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2025-03-19 00:44 来自 韩联社
《科创板日报》19日讯，SK海力士宣布，将在GTC 2025上展示计划于今年下半年量产的第6代高带宽存储器HBM4，以及下一代AI服务器存储器标准SOCAMM。 (韩联社)
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2025-03-18 05:23 来自 Alphabiz
【消息称三星改良版HBM3E在英伟达审核中获高分 有望6月初通过认证】《科创板日报》18日讯，消息称，三星最新HBM3E在日前英伟达的审核中获得令人满意的评分，预计最快6月初通过英伟达等的品质认证。此前三星HBM3E未能如期获得英伟达品质认证，可能与功耗表现未达标准有关，三星通过设计变更等方式，改善发热等问题。 (Alphabiz)
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2025-03-18 04:03 来自 businesspost
【SK海力士将独家供应英伟达12层HBM3E】《科创板日报》18日讯，SK海力士预计将独家供应英伟达Blackwell Ultra架构芯片第五代12层HBM3E，预期与三星电子、美光的差距将进一步拉大。 (businesspost)
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2025-03-17 03:04
【郭明錤：B300发布为GTC 2025重点 预计第三季度量产】《科创板日报》17日讯，知名分析师郭明錤发文对英伟达GTC 2025重点进行预测。他表示，新AI芯片B300为发布会的关键重点，包括CoWoS-L与CoWoS-S，最大亮点为HBM自192GB显著升级至288GB，运算效能较B200提升50%。B300预计在2Q25试产并于3Q25量产。此外，端侧AI也是英伟达的长期关键趋势，但预期GTC 2025会聚焦在AI服务器，市场期待的AI PC方案N1X与N1较有可能在今年Computex才会公布。
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2025-03-13 08:43
【存储峰会：服务器内存消耗已经超过手机 大容量存储供不应求】财联社3月13日电，在日前MemoryS 2025存储峰会上，闪存市场总经理邰炜指出，人工智能让存储变得更为的基础、更为的关键，大容量存储需求旺盛，去年已经出现供不应求局面。预计今年AI手机渗透率将提升至30%，AI PC落地更加快速，存储将在智能汽车中发挥重要作用。据统计，HBM在DRAM产业占比已经将近30%，而去年服务器内存消耗已经超过手机，预计今年还会继续增长。
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2025-03-13 04:15 来自 FNnews
【消息称英伟达高管再访三星工厂 HBM3E供应进入关键阶段】《科创板日报》13日讯，英伟达高管于近日访问了三星电子位于天安的封装工厂，审计和测试第五代高带宽内存HBM3E。三星计划在今年第一季度末向主要客户供应HBM3E 8层产品，并力争在上半年完成12层产品的交付。为应对紧张的交付期限，三星甚至将研发下一代HBM4的部分人力投入到HBM3E项目中，此次访问被认为HBM3E供应进入最后冲刺阶段。 (FNnews)
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2025-03-07 05:44 来自 ZDNet
【三星力争为谷歌最新款TPU供应HBM】《科创板日报》7日讯，三星电子正在为成为谷歌最新款TPU的HBM供应商不断进行测试。虽然相比SK海力士和美光进入验证的时间较晚，但最近的测试结果比以往更为积极。 (ZDNet)
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2025-02-27 05:42
【机构：Server DRAM与HBM持续支撑 2024年第四季全球DRAM产业营收季增9.9%】财联社2月27日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年第四季全球DRAM产业营收突破280亿美元，较前一季成长9.9%；由于Server DDR5的合约价上涨，加上HBM集中出货，前三大业者营收皆持续季增。平均销售单价方面，多数应用产品的合约价皆反转下跌，只有美系CSP增加采购大容量Server DDR5，成为支撑Server DRAM（服务器内存）价格续涨的主因。展望2025年第一季，随着进入生产淡季，整体原厂出货位元量将季减。价格部分，因PC OEM、手机业者持续去化库存，DRAM供应商将DDR4及部分HBM产能回流至Server DDR5，CSP采购动能放缓，预估第一季一般型DRAM合约价及一般型DRAM及HBM合并的整体合约价皆下跌。
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2025-02-27 01:01 来自 ETNews
《科创板日报》27日讯，消息称SK海力士的第6代12层堆叠高带宽内存HBM4测试良率已达70%。 (ETNews)
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2025-02-19 05:37 来自 首尔经济日报
【三星计划2028年推出“移动HBM”】《科创板日报》19日讯，三星电子半导体暨装置解决方案（DS）部门首席技术官宋在赫表示，搭载LPW DRAM内存的首款移动产品将在2028年上市。LPW DRAM通过堆叠LPDDR DRAM，大幅增加I/O接口，可减少耗电量并提高性能，采用垂直引线键合的新封装技术，被誉为“移动HBM”。其带宽可达200GB/s以上，较现有的LPDDR5x提升166%。 (首尔经济日报)
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2025-02-18 06:34
【机构：预计2027年底DRAM将迈入个位数纳米技术节点】财联社2月18日电，TechInsights平台上发布报告称，2025年第一季度，市场上将首次推出D1c的一小部分产品，首先由SK海力士推出。D1c世代将在2026年和2027年占据主导地位，包括HBM4 DRAM应用。从市场角度看，HBM产品，尤其是HBM3和HBM3E，性能卓越但目前价格高昂，而传统产品如LPDDR5和DDR5器件则价格较低且性能相对较弱。未来AI和数据中心将需要更高的单个裸晶的内存容量，例如32 Gb、48 Gb或64 Gb芯片，但目前市场上主流仍是16 Gb裸晶。在更高密度的DRAM芯片中，应开发3D DRAM架构，如4F2垂直沟道晶体管 (VCT) 单元、IGZO DRAM单元或3D堆叠DRAM单元，并在10纳米以下级别节点（个位数节点）实现产品化，尤其是三星、SK海力士和美光等主要厂商，作为下一代DRAM缩放的候选方案。D1a和D1b是市场上的主流产品。到2027年底，我们预计DRAM将迈入个位数纳米技术节点，如D0a，随后将是0b和0c世代。
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