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HBM
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HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠
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2024-05-16 14:33
【SK海力士与台积电敲定下一代HBM合作量产计划细节】《科创板日报》16日讯，SK海力士与台积电已敲定下一代HBM的合作量产计划。台积电将负责基础芯片前端工艺（FEOL）、后续布线工艺（BEOL）等，晶圆测试和HBM堆叠将由SK海力士进行。这意味着传统的前端制程将由台积电负责，后续制程将由SK海力士处理。业界预测，SK海力士将通过台积电7nm制程制造HBM4基片。
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2024-05-15 09:58
【芯片半导体板块异动拉升 HBM方向领涨】财联社5月15日电，芯片半导体板块异动拉升，HBM方向领涨，蓝箭电子、通富微电冲击涨停，文一科技、华海诚科、晶方科技、亚威股份等涨幅靠前。近日，两家全球最大的存储芯片供应商——SK海力士和美光都已经表示，2024年的高带宽存储芯片（HBM）已经售罄，而2025年的库存也几乎售罄。不少分析师警告称，在人工智能的爆炸性需求影响下，高带宽存储芯片（HBM）的供应短缺情况可能将持续今年一整年。
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2024-05-14 16:32 来自 财联社 刘蕊
GPT-4o再度引爆AI热潮！分析师警告：HBM供不应求将持续全年
①不少分析师警告称，在人工智能的爆炸性需求影响下，高带宽存储芯片（HBM）的供应短缺情况可能将持续今年一整年；
②两家全球最大的存储芯片供应商——SK海力士和美光都已经表示，2024年的高带宽存储芯片（HBM）已经售罄，而2025年的库存也几乎售罄。
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2024-05-14 15:17
【分析师：AI热潮将导致今年高性能存储芯片供应依旧紧张】财联社5月14日电，分析师警告称，高带宽内存(HBM)等高性能存储芯片今年可能仍将面临供应紧张局面，因为人工智能热潮推动了对这类存储芯片需求的爆炸性增长。
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2024-05-14 14:26 来自 The Elec
【SK海力士HBM4E内存有望采用1c nm 32Gb DRAM裸片】《科创板日报》14日讯，SK海力士技术人员Kim Kwi Wook表示，这家企业计划使用1c nm制程的32Gb DRAM裸片构建HBM4E内存。Kim Kwi Wook预计，HBM4E内存可较HBM4在带宽上提升40%、密度提升30%，同时能效也提高30%。在谈到对键合技术路线的看法时，这位研究人员称混合键合仍面临良率不佳的问题，SK海力士在下代HBM4产品中采用混合键合的可能性不大。 (The Elec)
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2024-05-14 14:08
【三星和SK海力士将超过20%的DRAM产线转换为HBM产线】《科创板日报》14日讯，三星和SK海力士预测，由于AI相关芯片需求不断增长，今年DRAM和HBM价格将保持坚挺；为了满足需求，他们将超过20%的DRAM产线转换为HBM产线。SK海力士HBM芯片今年已售罄，2025年也几乎售罄；三星HBM产品也已售罄。
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2024-05-14 08:37 来自 chosenbiz
【SK海力士宣布最早2026年推出HBM4E内存 带宽为上代1.4倍】《科创板日报》14日讯，SK海力士HBM负责人Kim Gwi-wook表示，当前业界HBM技术已经到了新的水平，行业需求促使SK海力士将加速开发过程，最早在2026年推出HBM4E内存，相关内存带宽将是HBM4的1.4倍。 (chosenbiz)
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2024-05-13 13:53 来自 Alpha Biz
【传三星HBM3E尚无法通过英伟达认证】《科创板日报》13日讯，三星电子为供应英伟达HBM3E产品，正致力投入产品验证，不过传因台积电采用标准问题，导致8层HBM3E仍待进一步的检验。 (Alpha Biz)
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2024-05-08 06:15
【郭明錤：预计英伟达下一代AI芯片R系列/R100将在2025年4季度量产】财联社5月8日电，天风国际分析师郭明錤预计，英伟达下一代AI芯片R系列/R100将在2025年4季度量产，系统/机柜方案预计将在2026年上半年量产。R100将采台积电的N3制程与CoWoS-L封装(与B100相同)。R100预计将搭配8颗HBM4。英伟达已理解到AI伺服器的耗能已成为CSP/Hyperscale采购与资料中心建置挑战，故R系列的晶片与系统方案，除提升AI算力外，耗能改善亦为设计重点。
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2024-05-07 19:27 来自 台湾电子时报
【三星组建百人工程师团队 力拼与英伟达达成HBM交易】《科创板日报》7日讯，消息称三星电子组建了一支新的HBM工程师团队，以确保从英伟达拿下数十亿美元的合约。三星的新工作小组由大约100名优秀工程师组成，他们一直致力于提高制造产量和质量，首要目标是通过英伟达的测试。 (台湾电子时报)
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2024-05-06 15:19
《科创板日报》6日讯，三星电子为了加强HBM竞争力，将新一代HBM开发组织二元化：预计明年量产的HBM4由HBM开发组全权负责；HBM3E由负责现有HBM开发的DRAM设计组负责。
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2024-05-06 13:53 来自 科创板日报
明年HBM价格最高再涨一成！客户看好AI后市需求
①SK海力士CEO表示，公司按量产计划2025年生产的HBM产品基本售罄。
②集邦咨询预计2023年-2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均将大幅向上。
③国内方面，机构认为，需求叠加技术创新周期，HBM原厂、先进封装、半导体设备、半导体材料等环节公司均有望持续受益。
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2024-05-06 12:19
【集邦咨询：2025年HBM价格调涨约5~10%】《科创板日报》6日讯，据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，今年第二季已开始针对2025年HBM进行议价，不过受限于DRAM总产能有限，为避免产能排挤效应，供应商已经初步调涨5~10%，包含HBM2e，HBM3与HBM3e。
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2024-05-02 11:54
【SK海力士CEO：2025年生产的HBM产品基本售罄】财联社5月2日电，在媒体招待会上，韩国存储芯片巨头SK海力士CEO介绍，由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求，公司按量产计划2025年生产的HBM产品也基本售罄。此前，公司对外宣布2024年HBM的产能已被客户抢购一空。公司预测，未来专门用于人工智能的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增，目前像HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%，预计到2028年可以达到61%。
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2024-05-02 11:01
财联社5月2日电，SK海力士将于第三季度开始大规模生产下一代HBM芯片。
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2024-04-30 10:59
【三星电子计划二季度量产12层堆叠HBM3E内存】财联社4月30日电，三星电子30日表示，目前正供应12层堆叠HBM3E内存——36GB HBM3E 12H DRAM样品，计划今年二季度量产。三星8层堆叠的HBM3 8H已开始初步量产。
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2024-04-30 09:48
财联社4月30日电，三星电子称，由于专注于高带宽内存(HBM)生产，预计下半年先进DRAM产品的供应将受到额外限制。
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2024-04-26 09:04
【台积电系统级晶圆技术将迎重大突破 有望于2027年准备就绪】《科创板日报》26日讯，台积电系统级晶圆技术将迎来重大突破，公司表示，采用CoWoS技术的芯片堆叠版本，预计于2027年准备就绪，整合SoIC、HBM及其他零部件，打造一个强大且运算能力媲美资料中心伺服器机架，或甚至整台伺服器的晶圆级系统。
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2024-04-25 14:22
【SK海力士：12层堆叠HBM3E开发三季度完成 下半年整体内存供应可能面临不足】《科创板日报》25日讯，SK海力士表示，12层堆叠（12Hi）HBM3E内存开发有望三季度完成，而下半年整体内存供应可能面临不足。今年客户主要聚焦8Hi HBM3E内存，SK海力士将为明年客户对12Hi HBM3E需求的全面增长做好准备。SK海力士预估，如果下半年PC和智能手机需求复苏导致现有库存耗尽，内存市场将面临紧张局势。
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2024-04-25 13:40 来自 财联社 刘蕊
内存市场暖意回归！SK海力士迎业绩暴涨：Q1营收增速创14年新高
①全球第二大内存芯片制造商SK海力士发布了强劲的第一财季财报。SK海力士预计，随着人工智能相关需求的激增，内存芯片市场将全面复苏。
②Counterpoint Research董事Tom Kang表示，预计SK海力士今年的营收将达到近61万亿韩圆，利润率将超过20%。
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